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最开始的寄存器是error是因为一切基于门电路，所以没有初始化。
初始化步骤是先打开main和时钟
然后将内存读使能和寄存器1/2写使能设置为1
然后遍历两个寄存器地址，从000-111，每次改变后等待一个完整的时钟周期。
就完成了初始化
目录
第一章 半导体. 1
第二章 二极管. 1
第三章 MOS管. 2
第四章 逻辑门. 3
下面我们以硅半导体为例讲解。
这是硅原子的模型，第一圈2个电子，第二圈8个电子，外圈4个电子，所以较为稳定，通常情况下是不导电的。
如果我们想制作会进行加入杂质。一般这里的杂质是硼和磷。
硼的第二圈只有三个电子，所以并不稳定。而且因为它需要一个电子组成稳定态，所以我们称为空穴。而磷的第三圈有九个电子，也不稳定。并且因为它比稳定态多一个电子，所以我们称为多子。因为电子带负电，所以我们称参入了硼的半导体为P（positive）型半导体称参入了磷的半导体为N（negative）型半导体。
N型半导体的多子会扩散入P区的空穴，并且多子只能从N型半导体移动到P型半导体，不能反向运动。如果我们想要让电子一直在电路内流动的话就需要让进入P型半导体的电子重新回到N型半导体内部而直接从中界线跨过是不显示的，所以我们需要一个电路，能够吸收P型半导体的电子和向N型半导体给予电子，所以我们可以将P型半导体接入电池的正极，N型半导体接入电池的负极。因为这样电池在正极吸收电子，在负极给与电子，所以电子会持续不断的从N型半导体流向P型半导体。这就是二极管的原理，二极管的效果就是电流只能从阳极（p型半导体）流向阴极（N型半导体），而如果反向会被N型半导体的多子截止。
MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。MOS管分为N型和P型。
结构和符号（以N型MOS管为例）在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。
当我们给G极通上0伏电压时，和二极管一样在P型半导体没有通入高电压时，电子无法从N型去往P型半导体，所以D极和S极不导通。当我们给G极通入足够大的电压时，P型半导体内少量的自由电子会被吸到两个N型半导体之间。所以相当于S极和D极之间有一整块N型半导体，他是导电的，所以整个MOS管相当于D极和S极之间是一根导线。N型MOS管其实很像开关，只不过不是由人来按下这个开关，而是电压按下的。当G极有足够的电压时，S极D极导通。当G没有足够电压时，S极D极断开。而P型MOS管正好相反，在结构上也是和N型MOS管相反的，N型MOS管中的N型半导体和P型半导体互换就形成了一个P型MOS管。当G极有足够大的电压时S极和D极断开，当G极没有足够电压时S极和D极导通。
我们一般使用的所有逻辑都可以通过三种基础逻辑来表示，与（and）、或（or）、非（not）。
比如：
与：（当n= 1时命题成立）且（假设n=m时命题成立，可以推导出在n=m+1时命题也成立）那么命题对于所有正整数都成立。
这一句话中N=1时成立和N=M+1时成立都是必要条件，必须两个都成立最后的结果才能成立。
或：或者
非：不要
由这三种基础逻辑可以组成几乎所有的逻辑。在设计集成芯片中我们一般会使用逻辑门来表示逻辑。下图分别是与门(And Gate)、或门(Or Gate)、非门(Not Gate)、异或门(Xor Gate)、与非门(Not And Gate,Nand Gate)、或非门(Not Or Gate,Nor Gate)和同或门(Not Xor Gate,Xnor Gate)。
这几种门电路中，也分为四种基础的门电路，分别是与门、或门、非门和异或门。与非门、或非门和同或门仅仅只是在相应门电路后面再加上一个非门。这四种门的表示方法如下：
与门：
或门：
非门：
异或门：
下面是这几种门电路输入输出关系表
与门
或门
异或门
非门
啊
最开始的寄存器是error是因为一切基于门电路，所以没有初始化。
初始化步骤是先打开main和时钟
然后将内存读使能和寄存器1/2写使能设置为1
然后遍历两个寄存器地址，从000-111，每次改变后等待一个完整的时钟周期。
就完成了初始化
目录
第一章 半导体. 1
第二章 二极管. 1
第三章 MOS管. 2
第四章 逻辑门. 3
第一章 半导体
半导体是一种常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。下面我们以硅半导体为例讲解。
这是硅原子的模型，第一圈2个电子，第二圈8个电子，外圈4个电子，所以较为稳定，通常情况下是不导电的。
如果我们想制作会进行加入杂质。一般这里的杂质是硼和磷。
硼的第二圈只有三个电子，所以并不稳定。而且因为它需要一个电子组成稳定态，所以我们称为空穴。而磷的第三圈有九个电子，也不稳定。并且因为它比稳定态多一个电子，所以我们称为多子。因为电子带负电，所以我们称参入了硼的半导体为P（positive）型半导体称参入了磷的半导体为N（negative）型半导体。
第二章 二极管
我们把P型半导体和N型半导体拼在一起就形成了我们遇见的第一种结构——二极管。N型半导体的多子会扩散入P区的空穴，并且多子只能从N型半导体移动到P型半导体，不能反向运动。如果我们想要让电子一直在电路内流动的话就需要让进入P型半导体的电子重新回到N型半导体内部而直接从中界线跨过是不显示的，所以我们需要一个电路，能够吸收P型半导体的电子和向N型半导体给予电子，所以我们可以将P型半导体接入电池的正极，N型半导体接入电池的负极。因为这样电池在正极吸收电子，在负极给与电子，所以电子会持续不断的从N型半导体流向P型半导体。这就是二极管的原理，二极管的效果就是电流只能从阳极（p型半导体）流向阴极（N型半导体），而如果反向会被N型半导体的多子截止。
第三章 MOS管
本文不考虑耗尽型MOS管MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。MOS管分为N型和P型。
结构和符号（以N型MOS管为例）在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。
当我们给G极通上0伏电压时，和二极管一样在P型半导体没有通入高电压时，电子无法从N型去往P型半导体，所以D极和S极不导通。当我们给G极通入足够大的电压时，P型半导体内少量的自由电子会被吸到两个N型半导体之间。所以相当于S极和D极之间有一整块N型半导体，他是导电的，所以整个MOS管相当于D极和S极之间是一根导线。N型MOS管其实很像开关，只不过不是由人来按下这个开关，而是电压按下的。当G极有足够的电压时，S极D极导通。当G没有足够电压时，S极D极断开。而P型MOS管正好相反，在结构上也是和N型MOS管相反的，N型MOS管中的N型半导体和P型半导体互换就形成了一个P型MOS管。当G极有足够大的电压时S极和D极断开，当G极没有足够电压时S极和D极导通。
第四章 逻辑门
通常我们将低于某一特定电压定义为0或者假（False），也就是低电压的状态。我们将高于某一特定电压定义为1或者真（True），也就是高电压状态。这样我们就可以进行计算了。我们一般使用的所有逻辑都可以通过三种基础逻辑来表示，与（and）、或（or）、非（not）。
比如：
与：（当n= 1时命题成立）且（假设n=m时命题成立，可以推导出在n=m+1时命题也成立）那么命题对于所有正整数都成立。
这一句话中N=1时成立和N=M+1时成立都是必要条件，必须两个都成立最后的结果才能成立。
或：或者
非：不要
由这三种基础逻辑可以组成几乎所有的逻辑。在设计集成芯片中我们一般会使用逻辑门来表示逻辑。下图分别是与门(And Gate)、或门(Or Gate)、非门(Not Gate)、异或门(Xor Gate)、与非门(Not And Gate,Nand Gate)、或非门(Not Or Gate,Nor Gate)和同或门(Not Xor Gate,Xnor Gate)。
这几种门电路中，也分为四种基础的门电路，分别是与门、或门、非门和异或门。与非门、或非门和同或门仅仅只是在相应门电路后面再加上一个非门。这四种门的表示方法如下：
与门：
或门：
非门：
异或门：
下面是这几种门电路输入输出关系表
与门
| A | B | |
| 0 | 0 | 0 |
| 0 | 1 | 0 |
| 1 | 0 | 0 |
| 1 | 1 | 1 |
| A | B | |
| 0 | 0 | 0 |
| 0 | 1 | 1 |
| 1 | 0 | 1 |
| 1 | 1 | 1 |
| A | B | |
| 0 | 0 | 0 |
| 0 | 1 | 1 |
| 1 | 0 | 1 |
| 1 | 1 | 0 |
| A | |
| 0 | 1 |
| 1 | 0 |
啊
最后编辑:
